В книге описываются физические процессы в полупроводниковых и электровакуумных приборах, в интегральных микросхемах и некоторых специальных приборах современной электроники, устройство, характеристики и параметры приборов, а также некоторые особенности их применения. Четвертое издание вышло в 1985 г. Настоящее издание дополнено материалами по пьезоэлектронике, акустоэлектронике, магнитоэлектронике, квантовой электронике, криоэлектронике, хемотронике и молекулярной электронике. Сокращены главы по электронным лампам.Для инженерно-технических работников; может быть также полезной студентам вузов и техникумов, изучающим основы радиоэлектроники.
Рассмотрены основные направления развития современной электроники,использующей физические эффекты,имеющие
место в наноструктурах. Проанализированы пути перехода от микро к нано электронным приборам, приведены описания
нанотехнологических процессов,элементов и приборов наноэлектроники и новых материалов,с которыми тесно связано развитие приоритетной области нанонауки и нанотехнологии.
В монографии подробно представлены начальные понятия,принципы работы, свойства, поведение и построение самосин-
хронных схем. Приведены примеры комбинационных и последовательностных схем, а также результаты экспериментальной
проверки их уникальных свойств. Изложение ведется с позиций нового, функционального, подхода, основанного на исследовании
логических функций, описывающих элементы схем, без привлечения методов теории автоматов. Аналогов данного подхода ни
в отечественной, ни в зарубежной литературе не отмечено.Для специалистов по дискретной электронике, аспирантов
и студентов этого направления. Может также использоваться как для начального ознакомления, так и для учебного процесса.
В учебном пособии рассмотрен комплекс вопросов, связанных с аналоговой и аналого-цифровой схемотехникой информационно-измерительных систем (ИИС) и систем управления. Подробно описаны компоненты таких систем (микроэлектронные сенсоры, усилители сигналов, аналого-цифровые преобразователи и устройства отображения информации). Приведены схемы включения элементов ИИС и систем сбора данных (ССД), анализ их погрешностей, программы схемотехнического моделирования элементов ССД в пакете
Multisim фирмы National Instruments. Студентам и аспирантам, обучающимся по направлению «Информатика и вычислительная техника», преподавателям соответствующих дисциплин, практическим специалистам, занимающимся разработкой и эксплуатацией ИИС различного назначения.
В книге изложены основные сведения об оптико-электронных узлах (ОЭУ),которые могут быть использованы в составе электронно-вычислительных средств, измерительных приборов и устройств автоматики. Приведены основные соотношения, полезные для расчета и конструирования этих узлов. Представлены электрические схемы включения элементов, входящих в оптико-электронные узлы. Приведены также многочисленные примеры использования ОЭУ в различного рода приборах и устройствах.Для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей техни- ческих вузов, а также инженерно-технических работников, занимающихся проектированием устройств, включающих оптико-электронные узлы.
В учебном пособии рассмотрены современные и перспективные сверхбыстродействующие приборы электроники: полевые транзисторы с затвором Шоттки, гетеробиполярные транзисторы, транзисторы с высокой подвижностью электронов, мощные СВЧ транзисторы, резонансно-туннельные диоды и приборы, содержащие в активной области новые материалы (графен, нанотрубки). Анализ их работы предваряется описанием моделей переноса заряда на микроуровне без учета квантовых эффектов (уравнение Больцмана, релаксационные уравнения сохранения, метод Монте-Карло) и с учетом эффектов размерного квантования (метод огибающей волновой функций). Особое внимание уделено описанию материалов, используемых в области СВЧ и эффектов переноса горячих электронов, имеющих место при уменьшении характерных размеров приборов в сильном электрическом поле.Предназначено для студентов специальности “Физическая и биомедицинская электроника”, может быть полезно студентам других специальностей и аспирантам вузов.
